實驗9예비보고서. MOSFET의 특성
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작성일 22-11-27 08:56
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충분한 수의 전자들이 게이트 아래의 기판 표면 근처에 축적되면 n영역이 만들어져 소스와 드레인 사이를 전기적으로 연결할 것이다.
또한 양의 게이트 전압은 저항들을 n+소스 및 드레인 영역으로부터 채널 영역으로 끌어당길 것이다.
출분한 수의 이동 전자들이 채널 영역에 축적 되어 도통된 채널을 형성할 때의 vgs값을…(투비컨티뉴드 )
실험과제/기타
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실험9. MOSFET의 속성
1.실험목적
a.소자 문턱 전압과 소자 전도도변수를 측정(測定) 해 본다
b.MOS 소자의 속성 곡선을 측정(測定) 해보고 이를 통해서 MOS의 여러 속성 에 대해 알아본다
2.기초theory
전계-efficacy transistor(트랜지스터)
BJT와 마찬가지로 FET에서도 두 단자사이의 전압이 제 3의 단자에 흐르는 전류를 제어한다 따라서 FET는 증폭기나 스위치로 사용될 수 있다아 FET에는 여러 종류가 있지만 주로 사용되는 것은 MOSFET이다. 이 상황에서 어떤 임의의 전압이 드레인과 소스 사이에 인가된다면 유도된 n영역이 전류를 드레인으로부터 소스로 흐르게 하는 채널을 형성한다. BJT에 비해 MOS transistor(트랜지스터) 는 아주 작게 만들 수 있고 제조 공정이 비교적 간단하다 더욱이 MOSFET만을 이용하여 디지털 논리 기능과 메모리 기능을 실현할 수 도 있다아 이런 이유로 현재의 대부분의 VLSI회로는 MOS기술로 만들어 지고 있다아
전류 전도를 위한 채널의 형성
NMOStransistor(트랜지스터) 의 경우 게이트가 소스에 대하여 양의 전위를 가지고 있다면 자유 정공들을 게이트 아래의 기판 영역으로부터 밀어낼 것이다 이 정공들은 기판의 아래쪽으로 밀려날 것ㅇ고 정공들이 있던 자리에는 캐리어 공핍 영역이 남게된다 이 공핍 영역은 억셉터 원자들과 연관된 속박 음전하들로 구성될 것이며 이 속박 음전하 들은 그들을 중화 시키던 정공들이 기판 아래족으로 밀려났기 때문에 노출되어 있을 것이다.
